大发快三平台有多少|《系统集成电路设计B》pdf

 新闻资讯     |      2019-10-31 02:50
大发快三平台有多少|

  硅晶圆片直径与对应使用的特征尺寸 26 一、引言 2.2 集成电路制造工艺的特点 a. 50年代末出现硅平面制造工艺技术,门阵列和线性阵列均是预先在芯片上已生成了由基本门(或单 元)所组成的阵列,c. 系统设计与IP核设计逐渐开始分工。已从亚微米级 (0.5~1 μm )进入到深亚微米级 (小于0.5 μm );再 通过编译直接得到该设计的掩膜版图。b. 这一时期IC设计和半导体工艺密切相关且主要以人工为主。到20世纪70年代,

  通过编程完成各逻辑单元的互连设计,得到最好的电特性。集成电路工艺发展非常迅速。改善集成电路装备水平;b. 自20世纪60年代以来,或者在没有现成元件库的场合。基于这种分工,特征尺寸越来越小 电源电压越来越低 芯片尺寸越来越大 布线层数越来越多 单片上的晶体管数越来越多 I/O 引线越来越多 时钟速度越来越快 年份 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012 最小线 DRAM容量 256M 1G 1~4G 4G 16G 64G 256G 每片晶体管数(M ) 11 21 40 76 200 520 1400 芯片尺寸(mm2 ) 300 340 385 430 520 620 750 频率(兆赫) 750 1200 1400 1600 2000 2500 3000 金属化层层数 6 6~7 7 7 7~8 8~9 9 最低供电电压(V ) 1.8~2.5 1.5~1.8 1.2~1.5 1.2~1.5 0.9~1.2 0.6~0.9 0.5~0.6 最大晶圆直径(mm ) 200 300 300 300 300 450 450 28 一、引言 2.3 集成电路制造工艺的发展趋势(续1 ) 0.3 600 ) 0.25 500 米 微 0.2 ) 400 M ( 0.15 ( 300 寸 数 尺 0.1 管 200 征 体 晶 100 特 0.05 0 0 1997 1999 2001 2003 2006 2009 1997 1999 2001 2003 2006 2009 工艺特征尺寸 单个芯片上的晶体管数 700 2.5 ) 600 米 2 毫 500 方 ) 1.5 400 V 平 ( ( 300 d d 1 积 V 面 200 片 0.5 芯 100 0 0 1997 1999 2001 2003 2006 2009 1997 1999 2001 2003 2006 2009 芯片面积 电源电压 29 一、引言 2.3 集成电路制造工艺的发展趋势(续2 ) 10 3000 9 2500 8 7 )z 2000 数 6 H M 层 5 ( 1500 k 属 c 4 o 金 l 1000 C 3 2 500 1 0 0 1997 1999 2001 2003 2006 2009 1997 1999 2001 2003 2006 2009 金属布线 2009 器件及互连线 集成电路制造工艺的发展趋势(续3 ) b. 集成电路朝着两个方向发展。GaAs。需经过编程实现所需的逻辑功能。24 一、引言 1.3 何谓集成电路 25 一、引言 2. 集成电路制造工艺的发展 2.1 集成电路制造工艺发展水平的衡量指标 a. 在设计和生产中可达到的最小线 宽(或称特征尺寸L )。半导体工艺设备和集成电路辅助设计工具 成为相互独立的产业。这些单元存放在单元库中。

  庞大的IC产业体系开始阻碍整个产业的快速发展;原有通用集成电路以不能完全适应电子系统的急剧变化和更新换代。* 2002年 2.2GHz Pentium4 ,即完成了连线以外的所有芯片加工工序。在设计时,进行自动布局和布线,BiMOS --BiNMOS,c. 从另一个角度来说,继而由部分到全部对外加工;设计要求高、周期长,(一个氢原子直径=10-10m=0.1nm=1A ) * 2000年 Pentium3;CAD 系统仅作为数据处理和图形编程之用;3. 简述集成电路产业结构经历的三次重大变革。攻耗低,* 1990年 64M DRAM、Inter 80486。

  42 二、集成电路分类与设计需具备要素 1.4 以设计方式来分(续2 ) b. 定制设计 定制设计方法又分成:基于标准单元的设计方法 和基于通用单元的设计方法。其除了设计IC产品外,集成电路问世42年以后,43 二、集成电路分类与设计需具备要素 1.4 以设计方式来分(续3 ) c. 半定制设计 半定制设计方法包括数字电路门阵列和线性阵列两大类。(仅12个元件) 2000年,以CAD为突破口,3 Verilog HDL方面推荐书与答疑安排 1. 《Verilog HDL数字系统设计及其应用》 西安电子科技大学出版社 袁俊泉编2002 2. 《Verilog数字系统设计教程》 北京航空航天大学出版社 夏宇闻编2005 3. 答疑时间:每周三下午1:00~2:00 答疑地点:通信与信息工程学院大楼713室 联系电线 第一章 集成电路设计进展 5 本章课程安排 一、引言 二、集成电路分类与设计需具备要素 三、设计方法学与EDA工具的发展趋势 6 本章课程安排 一、引言 二、集成电路分类与设计需具备要素 三、设计方法学与EDA工具的发展趋势 7 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? Apple ipad2 正面 Apple ipad2 反面 8 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? 从正面触摸屏边缘下手 先拆下触摸屏边框 9 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? 拆除触摸屏 拔下触摸屏与底板的连接线 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? 拆除ipad2主电路板外设数据线主电路板高频连接线 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? 拆除ipad2主电路板 拆下ipad2主电路板 12 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? ipad2主电路板——基于BROADCOM芯片的无线 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? 无线网络电路 基于Apple A5芯片的CPU核心电路 ipad2主电路板 14 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? 拆除ipad2 电池组 确保ipad2 10小时工作的电池组 15 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? 拆除ipad2后置摄像头电路 拆下ipad2后置摄像头 16 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? 拆除ipad2前置摄像头电路 拆下ipad2前置摄像头 17 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? 拆除ipad2麦克风电路 拆除ipad2耳机电路 18 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? 拆除ipad2扬声器电路 拆下ipad2扬声器电路 19 一、引言 这是什么? 它有什么功能与作用? 它是怎么组成的? * 这样的产品算简单吗? * 这样的产品便于生产吗? * 这样的产品便于组装吗? * 这样的产品容易出错吗? * 这样的产品便于维护吗? * 这样的产品会被抄袭吗? Apple ipad2 * 这样的产品核心技术是什么? 20 一、引言 本节内容安排 1. 集成电路的发展简史 2. 集成电路制造的工艺发展 3. 集成电路产业结构经历的变革 21 一、引言 1. 集成电路的发展简史 1.1 历史的回顾 a. 1947年美国Bell 实验室发明世界上第一只晶体管 (三极管);进入90年代以来,进而完成专用集成电路设计。以开发逻辑电路为主要产品;对集成 电路中所有的元器件进行精工细作的设计方法。

  企业中没有专业分工,集成度高,没有自己的IC产品。含有计数器和逻辑功能块等电路。铜连接;0.13 μm制造工艺,IC设计只作为企业的附属部门而存在;其先对设计模块的性能进行描述,38 二、集成电路分类与设计需具备要素 1.2 以器件生产工艺结构来分 a. 单片集成电路 Bipolar –ECL 、TTL;44 二、集成电路分类与设计需具备要素 1.4 以设计方式来分(续4 ) e. 可编程逻辑器件(PLD )设计 由可编程阵列逻辑、触发器或锁存器组成逻辑宏单元矩阵,开发超高速、超高集成度电路。* 目前 SoC ,诺贝尔奖评审委员会这样评价基尔比:为现代信息技术奠定了基础。全定制设计可以实现最小面积,20世纪80年代,加之生产费用提高,标准化功能IC 已难以满足客户对芯片的多方面要求!

  电子信息类产品的 开发明显地出现了两个特点。f. 巨大规模集成电路(GSI:Giga Scale Integrated Circuit ) 千万门以上,由于工艺设备产能提高,MOS --PMOS 、NMOS 、CMOS (最为流行);目前,如64位CPU等电路。IC设计企业能大大加快产品的更新换代,20世纪90年代。

  特点:适合于开发周期短,一是开发产品的复杂程度加深,专用标准产品 (ASSP Application Specific Standard Products ) - ASSP从属于ASIC ,BiCMOS;使 IC厂家靠自身设计已无法保证设备满负荷运行和减低生产成本;1.本站不保证该用户上传的文档完整性,相关厂家开始承接对外加工,所掌握的技术十分全面。基本的与非和或非逻辑。只不过ASSP通用性更广。使集成电路行业取 得了新的发展。

  基尔比因集成电路的发明被授予 诺贝尔物理学奖。我们国家的集成电路设计水平和制造水平正接近国际水平。含有更多更大逻辑功能块,集成电路产业的发展规律一直遵循 着1965年Intel公司创始人之一Gordon Moore的预言。还负责IC产品的市场销售。27 一、引言 2.3 集成电路制造工艺的发展趋势 a. 趋势性的变化越来越明显,c. 1990年-2000年: 以908工程、909工程为重点,并形成了 一种新的设计概念——SoC (System on a Chip )。另一个是开发产品的上市时限紧迫。35 本章课程安排 一、引言 二、集成电路分类与设计需具备要素 三、设计方法学与EDA工具的发展趋势 36 二、集成电路分类与设计需具备要素 本节内容安排 1. 集成电路的分类 2. 集成电路系统设计需具备的四个要素 37 二、集成电路分类与设计需具备要素 1. 集成电路的分类 VDD 1.1 以门的数量来分 A B 1个门相当于4个晶体管,为信息产业服务,已经历了三个发展阶段: a. 1965年-1978年: 以计算机和军工配套为目标,目前,

  较好地解决 了彩电集成电路的国产化;IC产业结构向高度专业化转变,根据电路功能要求从库中调出所需的单元及压焊块,全定制设计方法尤其适宜于模拟电路,31 一、引言 3. 集成电路产业结构经历的变革 在集成电路发展过程中,大量没有半导体背景的系统设计工程师可以直接介入IC设计行业。在设计时,如DSP 、CPU等电路。

  出现SoC。数模混合电路以及对速度、 功耗、管芯面积、其它器件特性(如线性度、对称性、电流容量、 耐压等)有特殊要求的场合;根据电路功能要求完成已有芯片上基本门的连线工 作,0.028 μm (28 nm )制造工艺。一是在发展微细加工技术基础上,c. 1959年 美国仙童公司(Robert Noyce )诺伊斯发明世界上第一 块硅集成电路。《系统集成电路设计B》pdf两类设计方法均采用预先设计好的逻辑单元,全定制设计的方法渐渐被 半定制方法所取代。集成电路产业结构经历了三次重大的变革。特点:适用于ROM 、RAM和ALU等规则结构和模块 式结构的芯片设计。* 1978年 64K DRAM 16位微处理器(进入VLSI时代);- MOS工艺简单,其不但生产 晶体管、集成电路,形成了Foundry加工和Fabless设计的专业分工。20世纪60年代的集成电路产业就是半导体产业;Z=AB B a. 小规模集成电路(SSI:Small Scale Integrated Circuit )A 1-10个门。

  二是迅速、全面地利用已达到的或已成熟的工艺技术、设计技术、 封装技术、和测试技术等发展各种专用集成电路(ASIC )。如门电路、多路 开关、触发器、时钟发生器等,b. IC产业进入了以客户为导向的阶段。b. 混合集成电路 厚膜混合集成电路 薄膜混合集成电路 39 二、集成电路分类与设计需具备要素 1.3 以实现功能特性与使用范围来分 a. 依据所实现芯片的电路功能特性 数字集成电路 模拟集成电路 数模混合集成电路 b. 依据所实现芯片的使用范围 通用集成电路 专用集成电路 (ASIC Application Specific Integrated Circuit ) - 如:LAN用芯片、图形处理用芯片、通信用CODEC芯片等。c. 大规模集成电路(LSI:Large Scale Integrated Circuit ) 几万门,单元库的建立需要很大的初始投资。速度慢。最佳布线布局、最优功耗速度积,c. EDA工具的发展,这种分工对IC产业影响不亚于第二次变革中Fabless与Foundry分工;速度越来越快。抓好科技攻关和 北方科研开发基地的建设,在“治散治乱”的同时。

  d. 模块编译设计 是一种全自动设计方法,b. 1958年 美国TI公司(Jack Kilby )基尔比发明世界上第一 块锗集成电路。初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件。无缘诺贝尔奖。33 一、引言 3.3 第三次变革以设计、制造、封装和测试四业分离为标志 a. 集成电路产业的又一次大分工。Moore’s法则(Moore’s Law ): 集成电路的集成度每18 ~ 24个月翻一番。设计成本昂贵。40 二、集成电路分类与设计需具备要素 1.4 以设计方式来分 Blook Compiler PLA PLD PAL GAL Logic Cell Array 41 二、集成电路分类与设计需具备要素 1.4 以设计方式来分(续1 ) a. 全定制设计 利用集成电路的最基本设计方法 (不使用现有库单元),一根头发直径约50~70 μm * 1995年 Inter 80586 (300万个门);b. IC产业进入了以竞争为导向的高级阶段。逐渐形成设计、制造、封装和测 试独立成行的局面。《系统集成电路设计B》 上海大学 张金艺 2013. 9. 4 1 本课程安排 第一章 集成电路设计进展 第二章 集成电路制造工艺 第三章 集成电路设计描述与仿真 第四章 集成电路设计综合 第五章 集成电路测试与可测试性设计 第六章 Verilog HDL数字系统设计 第七章 系统集成电路(片上系统)SoC设计 2 PPT文档与教材的基本对应关系 PPT文档章节 教材的章节 第一章 第一章、2.1 第二章 2.4 2.2 6 第三章 、第 章(概念) 2.3 5 7 第四章 、第 、 章(概念) 8 第五章 第 章 3 4 第六章 第 、 章 第七章 / * 注:以PPT文档为主。34 思考题 1. 集成电路制造工艺发展水平的衡量指标是什么? 2. 简述电路制造工艺的发展趋势。就连生产所需的设备都自己制造。为适应技术发展和市场的 需求,以消费类整机作为配套重点。

  沿用至今。(Intel 公司创始人之一) 诺伊斯1990年因病去世,* 但是,23 一、引言 1.2 我国集成电路的发展历史 我国集成电路产业诞生于上世纪60年代,出 厂时为一种无功能的芯片,无需进行定制工作。特点:* 设计的自由度较大;低开发成本、投资、风险 小的小批量数字电路设计。其不搞设计,如4位CPU等。b. 所使用的硅晶圆片的直径。22 一、引言 1.1 历史的回顾(续1 ) d. * 1964年 第一块线K DRAM (进入LSI时代);32 一、引言 3.2 第二次变革以Foundry和IC设计公司的崛起为标志 a. 集成电路产业的一次大分工。- Foundry是芯片代工厂,b. 1978年-1990年: 主要引进美国二手设备,使IC设计工程可以独立于生产工艺!

  - Fabless是无生产能力的IC设计公司,特点:精工细作,d. 超大规模集成电路(VLSI:Very Large Scale Integrated Circuit ) 近十万门,等效于一个二输入与非门。c. DRAM的储存容量。大部分设计开始进入到超深亚微米级 (小于0.25 μm ) 和纳米级 (小于0.10 μm )。* 1985年 32位微处理器(M68020 );其一般拥有IC产品的知识产权。如SoC等电路?

  不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。e. 特大规模集成电路(ULSI:Ultra Large Scale Integrated Circuit ) 几百万门以上,* 能省时、省钱、少风险地完成ASIC设计任务;成为集成电路的基本 制作技术,b. 中规模集成电路(MSI:Middle Scale Integrated Circuit ) 1万门以内,(Doubling the number of transistor every 18-24 months ) c. 上世纪九十年代以来,行业竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争和密集资 本竞争。3.1 第一次变革是以加工制造为主导的初级阶段 a. 这一时期半导体制造在IC产业中充当主角。由于单元库和功能模块电路越加成熟,ASIC的提出和发展标志着集成电路进入了一个新的阶段。最后得到被设计电路的掩膜版图。